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IXTH12N100L
16
Fig. 7. Input Admittance
10
Fig. 8. Transconductance
14
12
9
8
7
T J = - 40oC
25oC
10
T J = 125oC
6
125oC
25oC
8
6
- 40oC
5
4
3
4
2
2
0
1
0
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
36
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
20
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
32
28
24
18
16
14
V DS = 500V
I D = 6A
I G = 10mA
12
20
10
16
8
12
8
4
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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